某些未飽和組分隨著膠體的沉降而被吸附沉淀的現(xiàn)象說(shuō)的很詳細(xì)

共沉淀——在沉淀過(guò)程中，某些未飽和組分隨著膠體的沉降而被吸附沉淀的現(xiàn)象。硫化物沉淀法——雜質(zhì)離子與硫化物生成難容的硫化物沉淀硫化物共沉淀法——在沉淀過(guò)程中，雜質(zhì)離子與硫化物生成難容的硫化物膠體，這種膠體在沉降過(guò)程中吸附某些未飽和的組分一起沉淀的現(xiàn)象

共沉淀的原理是什么?

產(chǎn)生共沉淀的原因有：①表面吸附，由于沉淀表面的離子電荷未達(dá)到平衡，它們的殘余電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的：首先，吸附晶格離子；其次，凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子，就越容易被吸附；離子的價(jià)數(shù)愈高、濃度愈大，則愈容易被吸附。吸附是一放熱過(guò)程，因此，溶液溫度升高，可減少吸附。②包藏，在沉淀過(guò)程中，如果沉淀劑較濃又加入過(guò)快，則沉淀顆粒表面吸附的雜質(zhì)離子來(lái)不及被主沉淀的晶格離子取代，就被后來(lái)沉積上來(lái)的離子所覆蓋，于是雜質(zhì)離子就有可能陷入沉淀的內(nèi)部，這種現(xiàn)象稱為包藏，又叫吸留。由包藏引起的共沉淀也遵循表面吸附規(guī)律。例如，在過(guò)量氯化鋇存在下沉淀硫酸鋇時(shí),沉淀表面首先吸附構(gòu)晶離子Ba2+；為了保持電中性，表面上的Ba2+又吸引Cl-；如果晶體成長(zhǎng)很慢，溶液中的SO娸將置換出大部分Cl-；如果晶體成長(zhǎng)很快,則SO娸來(lái)不及交換Cl-,就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉淀。因?yàn)橄跛徜^比氯化鋇的溶解度小，所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。③生成混晶，如果晶形沉淀晶格中的陰、陽(yáng)離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代，就形成混晶。例如,當(dāng)大量Ba2+和痕量Ra2+共存時(shí)，硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時(shí)析出，這是由于二者有相同的晶格結(jié)構(gòu),Ra2+和Ba2+的離子大小相近的緣故。

標(biāo)簽：沉淀原理什么