產生共沉淀的原因有：①表面吸附，由于沉淀表面的離子電荷未達到平衡，它們的殘余電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的：首先，吸附晶格離子；其次，凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子，就越容易被吸附；離子的價數(shù)愈高、濃度愈大，則愈容易被吸附。吸附是一放熱過程，因此，溶液溫度升高，可減少吸附。②包藏，在沉淀過程中，如果沉淀劑較濃又加入過快，則沉淀顆粒表面吸附的雜質離子來不及被主沉淀的晶格離子取代，就被后來沉積上來的離子所覆蓋，于是雜質離子就有可能陷入沉淀的內部，這種現(xiàn)象稱為包藏，又叫吸留。由包藏引起的共沉淀也遵循表面吸附規(guī)律。例如，在過量氯化鋇存在下沉淀硫酸鋇時,沉淀表面首先吸附構晶離子Ba2+；為了保持電中性，表面上的Ba2+又吸引Cl-；如果晶體成長很慢，溶液中的SO娸將置換出大部分Cl-；如果晶體成長很快,則SO娸來不及交換Cl-,就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉淀。因為硝酸鋇比氯化鋇的溶解度小，所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。③生成混晶，如果晶形沉淀晶格中的陰、陽離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代，就形成混晶。例如,當大量Ba2+和痕量Ra2+共存時，硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時析出，這是由于二者有相同的晶格結構,Ra2+和Ba2+的離子大小相近的緣故。

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