（1）測(cè)S時(shí)有Na2SO4共沉淀---偏低，因?yàn)?個(gè)Na沒(méi)有1個(gè)Ba重。（2）測(cè)Ba有Na2SO4共沉淀---偏高，因?yàn)镹a2SO4是多出來(lái)的雜質(zhì)組分。（3）測(cè)S時(shí)有H2SO4共沉淀----偏低，因?yàn)镠2SO4高溫下分解了。（4）測(cè)Ba時(shí)有H2SO4共沉淀----無(wú)影響，因?yàn)镠2SO4是沉淀劑在高溫下分解了。

為什么說(shuō)"共沉淀在分離中有利有弊

　　共沉淀現(xiàn)象是玷污沉淀的主要因素，要通過(guò)沉淀反應(yīng)在溶液中獲得絕對(duì)純的沉淀是不可能的。在重量分析中，總是設(shè)法減少共沉淀的影響。洗滌和陳化是經(jīng)常采取的措施，它們雖然對(duì)減少混晶共沉淀無(wú)能為力，卻可以有效地減少表面吸附和包藏引入的雜質(zhì)。改變雜質(zhì)離子存在形式，降低沉淀速度，或采用均相沉淀，都是經(jīng)常采取的措施，如這些方法不能奏效，還可采取再沉淀的方法。　　共沉淀(coprecipitation)，一種沉淀從溶液中析出時(shí)，引起某些可溶性物質(zhì)一起沉淀的現(xiàn)象。例如，用氯化鋇沉淀硫酸鋇時(shí),若溶液中有K+、Fe3+存在,在沉淀?xiàng)l件下本來(lái)是可溶性的硫酸鉀和硫酸鐵，也會(huì)有一小部分被硫酸鋇沉淀夾帶下來(lái)，作為雜質(zhì)混在主沉淀中。　　產(chǎn)生共沉淀的原因有：①表面吸附，由于沉淀表面的離子電荷未達(dá)到平衡，它們的殘余電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的：首先，吸附晶格離子；其次，凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子，就越容易被吸附；離子的價(jià)數(shù)愈高、濃度愈大，則愈容易被吸附。吸附是一放熱過(guò)程，因此，溶液溫度升高，可減少吸附。②包藏，在沉淀過(guò)程中，如果沉淀劑較濃又加入過(guò)快，則沉淀顆粒表面吸附的雜質(zhì)離子來(lái)不及被主沉淀的晶格離子取代，就被后來(lái)沉積上來(lái)的離子所覆蓋，于是雜質(zhì)離子就有可能陷入沉淀的內(nèi)部，這種現(xiàn)象稱為包藏，又叫吸留。由包藏引起的共沉淀也遵循表面吸附規(guī)律。例如，在過(guò)量氯化鋇存在下沉淀硫酸鋇時(shí),沉淀表面首先吸附構(gòu)晶離子Ba2+；為了保持電中性，表面上的Ba2+又吸引Cl-；如果晶體成長(zhǎng)很慢，溶液中的硫酸鋇將置換出大部分Cl-；如果晶體成長(zhǎng)很快,則硫酸鋇來(lái)不及交換Cl-, 就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉淀。因?yàn)橄跛徜^比氯化鋇的溶解度小，所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。③生成混晶，如果晶形沉淀晶格中的陰、陽(yáng)離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代，就形成混晶。例如,當(dāng)大量Ba2+和痕量Ra2+共存時(shí)，硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時(shí)析出，這是由于二者有相同的晶格結(jié)構(gòu),Ra2+和Ba2+的離子大小相近的緣故。　　共沉淀分離法是富集痕量組分的有效方法之一，是利用溶液中主沉淀物（稱為載體）析出時(shí)將共存的某些微量組分載帶下來(lái)而得到分離的方法。例如,在痕量Ra2+存在下將硫酸鋇沉淀時(shí),幾乎可載帶下來(lái)所有的Ra2+；當(dāng)氯化銀沉淀時(shí)，可將溶液中極微量的金收集起來(lái)，予以富集。

標(biāo)簽：有利有弊沉淀分離