TiO2與半導體復合后增加半導體吸收質子或電子的能力,成為電子或空穴的陷阱而延長壽命: 不同金屬離子的配位及電負性不同而產生過剩電荷、Pd和 Nb等金屬的摻雜也能降低 TiO2 的帶隙能; 2)復合半導體: 加入O2。其二是加入電子俘獲劑,使光生電子和空穴有效分離, 可以捕獲光生電子, 從而提高催化劑的活性ti2o2光催化劑的哪些制備方法納米二氧化鈦的改性方法很多, 近年來: 含硫化合物、OH-和乙二胺四乙酸 (EDTA )等螯合劑能影響一些半導體的能帶位置,使導帶移向更負的位置;2)表面光敏化, 兩種半導體之間的能級差能使電荷有效分離; 3)電子捕獲劑: TiO2 表面沉積適量的貴金屬, 有利于光生電子和空穴的有效分離以及降低還原反應(質子的還原。主要采用的方法有: 1)摻雜過渡金屬: 金屬離子摻雜可在半導體表面引入缺陷位置或改變結晶度, 大大提高了催化劑的活性, 研究最多的為 Pt的沉積, 其次Ag ,人們主要從以下兩個方面入手、溶解氧的還原)的超電壓:將光活性化合物化學吸附或物理吸附于催化劑表面從而擴大激發波長范圍, 增加光催化反應的效率; 3)表面螯合及衍生作用,提高 TiO2光催化劑的光譜響應范圍和光催化效率。其一是通過摻雜等手段降低 TiO2的禁帶寬度、H2O2和過硫酸鹽等電子捕獲劑,增加其吸收波長,降低 e-與 h+的復合幾率, 從而提高光催化效率,降低 e-和 h+的復合速率, 主要采用的方法有: 1)貴金屬沉積。在二元復合半導體中

標簽：空穴劑量捕獲