中國稀有金屬網(wǎng)：
1、低電壓濺射制備摻錫氧化銦薄膜
由于摻錫氧化銦薄膜本身含有氧元素，磁控濺射制備摻錫氧化銦薄膜的過程中，會產(chǎn)生大量的氧負離子，氧負離子在電場的作用下以一定的粒子能量會轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使摻錫氧化銦薄膜的結晶結構和晶體狀態(tài)造成結構缺陷。濺射的電壓越大，氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大，那么造成這種結構缺陷的幾率就越大，產(chǎn)生晶體結構缺陷也越嚴重，從而導致了摻錫氧化銦薄膜的電阻率上升，一般情況下，磁控濺射沉積摻錫氧化銦薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的摻錫氧化銦薄膜電阻率將降低50%以上，這樣不僅提高了摻錫氧化銦薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，同時也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
2、兩種在直流磁控濺射制備摻錫氧化銦薄膜時，降低薄膜濺射電壓的有效途徑：
a、磁場強度對濺射電壓的影響
當磁場強度為300G時，濺射電壓約為-350v；但當磁場強度升高到1000G時，濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下，磁場強度越高、濺射電壓越低，但磁場強度為1000G以上時，磁場強度對濺射電壓的影響就不明顯了。因此為了降低摻錫氧化銦薄膜的濺射電壓，可以通過合理的增強濺射陰極的磁場強度來實現(xiàn)。
b、RF+DC電源使用對濺射電壓的影響
為了有效的降低磁控濺射的電壓，以達到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用了一套特殊的濺射陰極結構和濺射直流電源，同時將一套3KW的射頻電源合理的匹配疊裝在一套6KW的直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。當磁場強度為1000G，直流電源的功率為1200W時，通過改變射頻電源的功率，經(jīng)大量的工藝實驗得出：“當射頻功率為600W時，ITO靶的濺射電壓可以降到-110V”的結論。
因此，RF+DC新型電源的應用和特殊濺射陰極結構的設計也能有效的降低ITO薄膜的濺射電壓，從而達到降低薄膜電阻率的目的。
3、降低摻錫氧化銦薄膜電阻率的新沉積方法-HDAP法
法是利用高密度的電弧等離子體（HDAP）放電轟擊ITO靶材，使ITO材料蒸發(fā)，沉積到基體材料上形成ITO薄膜。由于高能量電弧離子的作用導致ITO粒子中的In、Sn達到完全離化，從而增強沉積時的反應活性，達到減少晶體結構缺陷，降低電阻率的目的。

標簽：制備氧化哪些