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摻錫氧化銦的制備方法有哪些

作者:訪客發(fā)布時間:2021-07-09分類:催化劑及助劑瀏覽:140


導讀:中國稀有金屬網(wǎng):1、低電壓濺射制備摻錫氧化銦薄膜由于摻錫氧化銦薄膜本身含有氧元素,磁控濺射制備摻錫氧化銦薄膜的過程中,會產(chǎn)生大量的氧負離子,氧負離子在電場的作用下以一定...

中國稀有金屬網(wǎng):
1、低電壓濺射制備摻錫氧化銦薄膜
由于摻錫氧化銦薄膜本身含有氧元素,磁控濺射制備摻錫氧化銦薄膜的過程中,會產(chǎn)生大量的氧負離子,氧負離子在電場的作用下以一定的粒子能量會轟擊到所沉積的ITO薄膜表面,使摻錫氧化銦薄膜的結晶結構和晶體狀態(tài)造成結構缺陷。濺射的電壓越大,氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大,那么造成這種結構缺陷的幾率就越大,產(chǎn)生晶體結構缺陷也越嚴重,從而導致了摻錫氧化銦薄膜的電阻率上升,一般情況下,磁控濺射沉積摻錫氧化銦薄膜時的濺射電壓在-400V左右,如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下,那么所沉積的摻錫氧化銦薄膜電阻率將降低50%以上,這樣不僅提高了摻錫氧化銦薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量,同時也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
2、兩種在直流磁控濺射制備摻錫氧化銦薄膜時,降低薄膜濺射電壓的有效途徑:
a、磁場強度對濺射電壓的影響
當磁場強度為300G時,濺射電壓約為-350v;但當磁場強度升高到1000G時,濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下,磁場強度越高、濺射電壓越低,但磁場強度為1000G以上時,磁場強度對濺射電壓的影響就不明顯了。因此為了降低摻錫氧化銦薄膜的濺射電壓,可以通過合理的增強濺射陰極的磁場強度來實現(xiàn)。
b、RF+DC電源使用對濺射電壓的影響
為了有效的降低磁控濺射的電壓,以達到降低ITO薄膜電阻率的目的,可以采用了一套特殊的濺射陰極結構和濺射直流電源,同時將一套3KW的射頻電源合理的匹配疊裝在一套6KW的直流電源上,在不同的直流濺射功率和射頻功率下進行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。當磁場強度為1000G,直流電源的功率為1200W時,通過改變射頻電源的功率,經(jīng)大量的工藝實驗得出:“當射頻功率為600W時,ITO靶的濺射電壓可以降到-110V”的結論。
因此,RF+DC新型電源的應用和特殊濺射陰極結構的設計也能有效的降低ITO薄膜的濺射電壓,從而達到降低薄膜電阻率的目的。
3、降低摻錫氧化銦薄膜電阻率的新沉積方法-HDAP法
法是利用高密度的電弧等離子體(HDAP)放電轟擊ITO靶材,使ITO材料蒸發(fā),沉積到基體材料上形成ITO薄膜。由于高能量電弧離子的作用導致ITO粒子中的In、Sn達到完全離化,從而增強沉積時的反應活性,達到減少晶體結構缺陷,降低電阻率的目的。

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