一、硅晶提純技術(shù)？

工業(yè)制取高純單晶硅主要采用以下方法：

①首先由石英砂和焦炭在電弧爐中制取純度較低的粗硅

SiO2+2C==(3273K)Si+2CO↑

②然后將粗硅轉(zhuǎn)化為有揮發(fā)性并易提純的四氯化硅或三氯氫硅

Si+2Cl2==（723~773K）SiCl4

Si+3HCl==(523~573K)SiHCl3+H2↑

③再用精餾法提純SiCl4或SiHCl3,在電爐中用氫氣還原,得到純度較高的硅

SiCl4+2H2==(加熱)Si+4HCl

④最后我們用區(qū)域熔融法進(jìn)一步提純并制成高純單晶硅

二、高純氯化氫與六氟化硫有什么用途和作用？

化學(xué)級(jí):99.9%的純度，主要用于醫(yī)藥中間體，農(nóng)藥中間體、染料中間體、催化劑、食品與飼料添加劑、化學(xué)試劑及膠片顯影劑添加劑等精細(xì)化學(xué)品的合成晌燃。電子級(jí):99.999%純度，總雜質(zhì)含量小于5ppm，并經(jīng)國(guó)內(nèi)外多家半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)連續(xù)大量在單晶硅片氣相拋光銀爛和外延基座腐蝕工藝中廣泛使用，產(chǎn)品效果十分明顯，主要用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中，單晶硅片氣相拋光，外延基座腐蝕，金屬表面處理，硬質(zhì)合金生產(chǎn)。六氟化硫氣體是一種無(wú)色、無(wú)臭、無(wú)毒和無(wú)腐蝕性的化合物。在常溫常態(tài)下呈氣體，為不燃體，是化學(xué)穩(wěn)定性最好的非金屬氧化物。由于六氟化硫氣體具有優(yōu)良的化學(xué)熱穩(wěn)定性，在保證純度的情況下，500度溫度下也不會(huì)被分解。由具有優(yōu)良的絕緣性和減弧能力，即使在電弧下發(fā)生瞬間分解、電離，但在電弧削減后也能很迅速的回復(fù)原有的穩(wěn)定狀態(tài)，故利用他的高度化學(xué)穩(wěn)定性和出色的電器絕緣特性，廣泛的利用電氣工業(yè)和超高壓絕緣材料。此外它還具有傳熱系數(shù)大，冷卻效果好的特點(diǎn)。六氟化硫氣體廣泛用于高壓，中壓電氣設(shè)備的絕緣材料和減弧介質(zhì)；金屬冶煉制造工藝的防氧化劑，氣象示蹤實(shí)驗(yàn)和示蹤劑，制宴搏虛冷工藝的制冷劑和熱載體。在醫(yī)療上用于X一射線裝置的絕緣體。還可用于制造單晶硅以及基礎(chǔ)理論科學(xué)研究等。淄博迪嘉是地區(qū)最專業(yè)的供應(yīng)基地。

三、為什么氯化氫氣體得到氫遷移產(chǎn)物

氣體中的氫為了可燃性而被添加到氯化物中，形成高純度氣體和高純度氣體。由于氫氣是非常易燃的氣體帆嘩，在空氣中的燃燒體積分?jǐn)?shù)為4%至75%。

如果氫氣與濃度為4%至74%的空氣混合，或者氫氣與濃度為5%至95%的氯混合，則屬于易燃易爆氣體，在熱、陽(yáng)光的刺激下極易爆炸。 氫氣的燃點(diǎn)為500C，純氫氣和氧氣的混合物在燃燒時(shí)發(fā)出紫外線。從這個(gè)鋒歷意義上說(shuō)，去除氣體中的氫是非常重要的。

由于高純度比空氣輕，氫火焰有迅速上升的趨勢(shì)，銀轎搜其危害小于碳?xì)浠衔锶紵奈：Α渑c所有的氧化元素反應(yīng)，室溫下氫與氯自發(fā)反應(yīng)。氫和氟在暗處混合時(shí)會(huì)爆炸，產(chǎn)生潛在危險(xiǎn)的酸性高純度氣體和氟化氫。

氣體得到氫消敗含遷移產(chǎn)物，氣體拿笑中的氫為了可燃性而被添加到氯化物中,形成高純度氣體枯塵和高純度氣體。由于氫氣是非常易燃的氣體,在空氣中的燃燒體積分?jǐn)?shù)為4%至75

純水喊虛中,存在著電離平衡：

H2O H+ + OH-

加入氣體后,H+增多,平衡向左移動(dòng),使水是電離程度減小,由水電離出來(lái)的氫離子和氫氧根離子的濃度一直相等.

當(dāng)溶液的PH=3時(shí),c(H+)=10^-3 mol/L,由水的離子積常數(shù)：Ksp = c(H+)*c(OH-)=10^-14 所以,

c(OH-)=10^-11mol/L,鹽酸溶鄭巧燃液中的氫氧根離子是寬亂由水電離產(chǎn)生的,

所以此時(shí)由水本身電離出的氫離子的濃度=c(OH-)=10^-11 mol/L

標(biāo)簽：氯化氫遷移產(chǎn)物