一、在三氯氫硅生產(chǎn)時(shí)應(yīng)注意什么問題？

三氯氫硅是采用硅粉與氣體在流化床反應(yīng)器中生成。它是無色液體，易揮發(fā)，易潮解，在空氣中發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生白煙，遇水分解，溶于苯、醚等有機(jī)溶劑。屬一級遇濕易燃物品，易燃易爆，遇水反應(yīng)產(chǎn)生氣體；它與氧化劑發(fā)生強(qiáng)烈反應(yīng)，遇明火、高熱時(shí)發(fā)生燃燒或爆炸。

其物理特性如下：比重：1．35；相對氣體密度：4．7；沸點(diǎn)：31．8℃；飽和蒸氣壓（14．5℃）53．33Kpa；閃點(diǎn)：－13．9℃（開杯）；自燃溫度：175℃；爆炸下限：6．9％；爆炸上限：70％；溶解性：溶于苯、醚等有機(jī)溶劑；具有急性毒性。

要注意防火防爆防泄漏

二、工業(yè)制硅,用什么方法提純?

工業(yè)上用碳在電爐內(nèi)還原二氧化硅制得粗硅。用氫氣還原三氯氫硅或四氯化硅可制得高純度硅。

1.物質(zhì)的理化常數(shù):

國標(biāo)編號 81043

CAS號 10026-04-7

中文名稱 四氯化硅

英文名稱 Silicon tetrachloride

別 名 氯化硅；四氯化矽

分子式 SiCl4 外觀與性狀 無色或淡黃色發(fā)煙液體，有刺激性氣味，易潮解

分子量 169.90 蒸汽壓 55.99kPa(37.8℃)

熔 點(diǎn) -70℃ 沸點(diǎn)：57.6℃ 溶解性 可混溶于苯、氯仿、石油醚等多數(shù)有機(jī)溶劑

密 度 相對密度(水=1)1.48；相對密度(空氣=1)5.86 穩(wěn)定性 穩(wěn)定

危險(xiǎn)標(biāo)記 20(酸性腐蝕品) 主要用途 用于制取純硅、硅酸乙酯等，也用于制取煙幕劑

2.對環(huán)境的影響:

一、健康危害

侵入途徑：吸入、食入、經(jīng)皮吸收。

健康危害：對眼睛及上呼吸道有強(qiáng)烈刺激作用。高濃度可引起角膜混濁，呼吸道炎癥，甚至肺水腫。皮膚接觸后可引起組織壞死。

二、毒理學(xué)資料及環(huán)境行為

急性毒性：LC508000ppm，4小時(shí)(大鼠吸入)

危險(xiǎn)特性：受熱或遇水分解放熱，放出有毒的腐蝕性煙氣。

燃燒(分解)產(chǎn)物：、氧化硅。

3.現(xiàn)場應(yīng)急監(jiān)測方法:

4.實(shí)驗(yàn)室監(jiān)測方法:

氣相色譜法，參照《分析化學(xué)手冊》(第四分冊，色譜分析)，化學(xué)工業(yè)出版社

5.環(huán)境標(biāo)準(zhǔn):

前蘇聯(lián)(1975) 車間衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn) 5mg/m3

6.應(yīng)急處理處置方法:

一、泄漏應(yīng)急處理

疏散泄漏污染區(qū)人員至安全區(qū)，禁止無關(guān)人員進(jìn)入污染區(qū)，建議應(yīng)急處理人員戴自給式呼吸器，穿化學(xué)防護(hù)服。不要直接接觸泄漏物，勿使泄漏物與可燃物質(zhì)(木材、紙、油等)接觸，在確保安全情況下堵漏。噴水霧減慢揮發(fā)(或擴(kuò)散)，但不要對泄漏物或泄漏點(diǎn)直接噴水。將地面灑上蘇打灰，然后用大量水沖洗，經(jīng)稀釋的洗水放入廢水系統(tǒng)。如果大量泄漏，最好不用水處理，在技術(shù)人員指導(dǎo)下清除。

二、防護(hù)措施

呼吸系統(tǒng)防護(hù)：可能接觸其蒸氣時(shí)，必須佩戴防毒面具或供氣式頭盔。緊急事態(tài)搶救或逃生時(shí)，建議佩帶自給式呼吸器。

眼睛防護(hù)：戴化學(xué)安全防護(hù)眼鏡。

防護(hù)服：穿工作服(防腐材料制作)。

手防護(hù)：戴橡皮手套。

其它：工作后，淋浴更衣。單獨(dú)存放被毒物污染的衣服，洗后再用。保持良好的衛(wèi)生習(xí)慣。

三、急救措施

皮膚接觸：立即脫去污染的衣著，用流動清水沖洗15分鐘。若有灼傷，就醫(yī)治療。

眼睛接觸：立即提起眼瞼，用流動清水沖洗10分鐘或用2%碳酸氫鈉溶液沖洗。

吸入：迅速脫離現(xiàn)場至空氣新鮮處。注意保暖，保持呼吸道通暢。必要時(shí)進(jìn)行人工呼吸。就醫(yī)。

食入：患者清醒時(shí)立即漱口，給飲牛奶或蛋清。立即就醫(yī)。

滅火方法：干粉、砂土。禁止用水。

三、將固相萃取柱hlb，60mg3cc，用6ml的甲醇活化該怎樣弄

就用6mL的甲醇，緩慢過柱使其充分活化即可啊

四、多晶硅生產(chǎn)工藝流程

1）石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業(yè)硅， 其化學(xué)反應(yīng)SiO2+C→Si+CO2↑ （2）為了滿足高純度的需要，必須進(jìn)一步提純。把工業(yè)硅粉碎并用無水(HCl)與之反應(yīng)在一個(gè)流化床反應(yīng)器中，生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。 其化學(xué)反應(yīng)Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反應(yīng)溫度為300度，該反應(yīng)是放熱的。同時(shí)形成氣態(tài)混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。 （3）第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純，需要分解:過濾硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而氣態(tài)Н2,НС1返回到反應(yīng)中或排放到大氣中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，凈化三氯氫硅（多級精餾）。 （4）凈化后的三氯氫硅采用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。 其化學(xué)反應(yīng)SiHCl3+H2→Si+HCl。 多晶硅的反應(yīng)容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑5-10毫米，長度1.5-2米，數(shù)量80根），在1050-1100度在棒上生長多晶硅，直徑可達(dá)到150-200毫米。 這樣大約三分之一的三氯氫硅發(fā)生反應(yīng)，并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應(yīng)容器中分離。這些混合物進(jìn)行低溫分離，或再利用，或返回到整個(gè)反應(yīng)中。氣態(tài)混合物的分離是復(fù)雜的、耗能量大的，從某種程度上決定了多晶硅的成本和該3工藝的競爭力。

標(biāo)簽：多晶硅工藝流程生產(chǎn)